三星电子和IBM公布半导体设计击破将能源使用量减少85%
发布时间：2021-12-17 07:23:46 所属栏目：动态 来源：互联网
导读：12月16日消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管(VTFET)。 两家公司于12月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管(finFET)相比，新的半导体设计有可能将能源使用量减少85%。三星电子还公布了一项生产IBM5纳米芯片
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12月16日消息:IBM和三星电子推出了一种新的半导体设计——采用垂直晶体管架构的垂直传输场效应晶体管(VTFET)。 两家公司于12月15日宣布，与缩放鳍式场效应晶体管(finFET)相比，新的半导体设计有可能将能源使用量减少85%。三星电子还公布了一项生产IBM5纳米芯片的计划，用于服务器。 VTFET是一种在芯片表面垂直堆叠晶体管的技术。从历史上看，晶体管被制造成平放在半导体表面上，电流横向流过它们。借助VTFET，IBM和三星已经成功地实现了垂直于芯片表面构建的晶体管，并具有垂直或上下电流。 VTFET工艺解决了许多性能障碍和限制，以扩展摩尔定律，因为芯片设计人员试图将更多晶体管装入固定空间。它还影响晶体管的接触点，从而以更少的能量浪费获得更大的电流。总体而言，与按比例缩放的finFET替代方案相比，新设计旨在将性能提高两倍或将能源使用减少85%。 IBM和三星电子在美国纽约州的奥尔巴尼纳米技术研究中心联合开发了VTFET技术。 同一天，IBM还宣布三星将生产基于节点的5纳米IBM芯片。该芯片有望使用在IBM自己的服务器平台。三星在2018年宣布将制造IBM的7纳米芯片，该芯片在今年早些时候用于IBMPower10服务器系列。IBM今年4月亮相的人工智能（AI）处理器Telum也是三星基于IBM的设计制造的。 （编辑：广州站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
