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ASML光刻机到位,国产半导体传来好消息

发布时间:2021-12-14 21:29:12 所属栏目:通讯 来源:互联网
导读:氮化镓作为第三代半导体材料,相比第一代硅材料和第二代的砷化镓材料,在高温、高耐压以及承受大电流等多方面具备一定的优势,因为,氮化镓材料更适合制造高温、高频、大功率元的器件。 所以,氮化镓材料已经成为海内外国家重点攻关的项目,更是诸多芯片公
氮化镓作为第三代半导体材料,相比第一代硅材料和第二代的砷化镓材料,在高温、高耐压以及承受大电流等多方面具备一定的优势,因为,氮化镓材料更适合制造高温、高频、大功率元的器件。
 
所以,氮化镓材料已经成为海内外国家重点攻关的项目,更是诸多芯片公司的火热追捧。
 
 
如果从氮化镓产业链来看的话, 主要还是以欧美企业为主,如住友电气、三菱化学以及富士通等,而中国企业自然也在积极推动氮化镓的研究,其中最具代表性的当属英诺赛科。
 
根据公开资料显示,英诺赛科成立于2015年,主要研究第三代半导体硅基氮化镓芯片制造,并掌握着氮化镓材料领域设计和制造等多项生产优势,已经实现产业链的自主可控。
 
 
英诺赛科再次传来好消息,具体来看,该公司建立的8英寸硅基氮化镓量产线已经成功导入AML光刻机。
 
对于英诺赛科而言,ASML光刻机的导入意义非凡。为何这么说,虽然氮化镓贵为第三代半导体材料,但是,在制造先进的硅基氮化镓元器件时,依旧需要高度依赖光刻机。
 
毫无疑问,英诺赛科在导入ASML光刻机之后,将改善光刻工艺的窗口期,不仅能够提升氮化镓元器件的产能,而且,得益于ASML光刻机的技术的优势,还能提升氮化镓产线的良品率。
 
 
根据笔者了解,目前英诺赛科建立的200mm硅基氮化镓晶圆产业已经顺利投产;同时,公司的8英寸产业也将步入量产阶段,加上ASML光刻机的导入,在产能顺利释放之后,英诺赛科的市场地位将进一步提升。
 
从TrendForce集邦资讯对全球GaN功率厂商出货量市场比预测来看,2021年,英诺赛科的市占率有望提升到20%,跻身全球第三。
 
 
国产芯片有望弯道超车
 
在初代半导体材料时代,以硅为主的芯片材料改变了世界格局,即便至今,常规芯片也依旧基于硅材料进行生产,由于我国起步较晚,严重落后于其他国家。
 
但是行业的发展并不会局限于一种半导体材料,为了满足行业的不同需求,氮化镓身为第三代半导体材料,对于新能源汽车、5G通信以及消费电子等诸多领域有着极其重要的影响。
 
而英诺赛科作为全球氮化镓功率芯片的主要玩家之一,如今更是有望跻身成为全球第三,对于我国在氮化镓领域的探索,起到了积极的推动作用。
 
值得一提的是,市面上主流的厂商几乎已经与英诺赛科达成了合作关系,数据显示,在消费市场中,英诺赛科研发的氮化镓功率芯片已经出货了超4000万颗。
 
 
写到最后
 
随着5G技术、新能源汽车以及光伏储能等行业的快速发展,得益于第三代半导体材料氮化镓得天独厚的优势,势必会加速相关产品的研发速度,届时,氮化镓的应用场景也将更加广泛。
 
未来,英诺赛科不断提升氮化镓的制备技术,加上行业对氮化镓的需求提升,在第三代半导体材料时代加快来临之际,对于提前布局的英诺赛科而言,将受益匪浅。
 
不过,海外巨头也在对第三代半导体材料进行研究,这必然会给英诺赛科带来一定的发展压力。但笔者相信,英诺赛科不断在第三代半导体材料进行创新,未来,势必会成为氮化镓材料主导企业之一。

(编辑:广州站长网)

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